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T1589N26TOC

更新时间： 2024-09-20 14:45:03

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
18页	428K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3200A I(T)RMS, 1560000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element

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T1589N26TOC 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.72
标称电路换相断开时间：	300 µs	关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	300 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
通态非重复峰值电流：	28000 A	最大通态电压：	1.05 V
最大通态电流：	1560000 A	最高工作温度：	125 °C
断态重复峰值电压：	2600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1589N26TOC 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1589 N 22...28

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM, V_RRM

2200, 2400

2600, 2800

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

V_DSM

2200, 2400

2600, 2800

non-repetitive peak foward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

2300, 2500

2700, 2900

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMSM on-state current

I_TRSMSM

3200

T_C= 85 °C

T_C= 67 °C

Dauergrenzstrom

I_TAVM

1589

2040

average on-state current

T_vj= 25°C, t_p= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

32000

28000

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

5120 A²s*10³

3920 A²s*10³

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

(di_T/dt)_cr

150 A/µs

f=50 Hz, v_L= 10V, i_GM= 1 A

di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5th letter C

5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Kritische Spannungssteilheit

(dv_D/dt)_cr

critical rate of rise of off-state voltage

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 5000 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1000 A

Durchlaßspannung

on-state voltage

v_T

max. 2,45

max. 1,38

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_T(TO)

1,1

Ersatzwiderstand

slope resistance

r_T

0,237

Durchlaßkennlinie

on-state voltage

v_T= A + B x i_T+ C x ln (i_T+ 1) + D x Ö i_T

1,8186

2,508E-05

-0,22082

3,3705E-02

max. 300

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

T_vj= 25°C, v_D= 6V

Zündstrom

I_GT

gate trigger current

Zündspannung

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

3,0

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current

max.

T_vj= T_{vj max},v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündene Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max. 0,25

max. 300

max. 1500

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 W

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK>=10 W

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

t_g= 20 µs

Einraststrom

I_L

latching current

T_vj= T_{vj max}

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

i_D, i_R

max. 250

µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

max.

T_vj= 25°C

gate controlled delay time

i_GM= 1,6 A, di_G/dt = 1,6 A/µs

SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther

A121/ 98

Seite/page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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T1590N	INFINEON	获取价格	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
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T1590N24TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element,
T1590N26TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 1590000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1
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