Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1551N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
4800
5200
5000 V
V
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
PerKiodeisncnhedaVtoerwnärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reEverlsee vkolttagreische Eigenschaften
3920 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
1830 A
2500 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 60 °C
ITAVM
44000 A
43000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
9680 10³ A²s
9250 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
300 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
2000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
typ.
max.
1,57 V
1,7 V
Tvj = Tvj max , iT = 2000A
vT
typ.
max.
0,88 V
0,92 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ. 0,345 mΩ
max. 0,39 mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ.
A
B
C
D
A
B
C
D
0,497
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
200A ≤ iF ≤ 2500A
Tvj = Tvj max
0,000137
-0,0127
0,02
max.
0,539
vT = A + B ⋅ iT + C ⋅ Ln(iT + 1) + D ⋅ iT
0,000193
0,00534
0,0164
350
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
mA
V
2,5
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
max.
max.
max.
0,4 V
350 mA
3 A
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
400 mA
2 µs
Zündverzug
DIN IEC 60747-6
tgd
gate controlled delay time
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
C. Schneider
date of publication: 2006-05-05
revision:
prepared by:
7
approved by: J. Przybilla
BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. / Keller
Seite/page
1/9