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T-15809

更新时间： 2024-11-20 08:31:47

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RHOMBUS-IND		变压器综合业务数字网联轴器
页数	文件大小	规格书
1页	26K
描述
T1/CEPT/ISDN PRI INTERFACE TRANSFORMER

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T-15809 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	DATA COUPLING
认证：	UL	高度：	10.16 mm
长度：	23.37 mm	安装特点：	SURFACE MOUNT
包装方法：	TUBE; TAPE & REEL	物理尺寸：	23.37mm X 14.22mm X 10.16mm
表面贴装：	YES	变压器类型：	TELECOM TRANSFORMER
宽度：	14.22 mm	Base Number Matches：	1

T-15809 数据手册

T1/CEPT/ISDN PRI INTERFACE TRANSFORMER

Reinforced Insulation Per EN 41003/EN 60950

Turns Ra tio ( + 5% )

1CT:1.15CT & 1CT: 1CT

Flammability:Materials used in

the production of these units

meet requirements ofUL94-VO

and IEC 695-2-2 needle flame

test.

PARAMETER

MIN.

MAX.

UNITS

OCL (Prim a ry)

1.6 & 1.6

m H

Ca p a c ita nc e (C_{W/ W}

)

15 & 15

p F

3000 V_RMSIsolation (Hi-Pot)

Prim a ry DC Re sista nc e

1.1 & 1.0

1.1 & 0.9

o hm s

Parts shipped in anti-static

tubes.

Se c o nd a ry DC Re sista nc e

Primary Pins 16-14 & 6-8

Tape and Reel available.

PHYSICAL DIMENSIONS

All dimensions in inches (mm)

.920

(23.37)

MAX.

.560

(14.22)

MAX.

.400

(10.16)

MAX.

.010

(0.25)

TYP.

.110

(2.79)

TYP.

.035

(0.89)

TYP.

.740 (18.80)

.710 (18.03)

.020

(0.51)

TYP.

.100

(2.54)

TYP.

Schematic Diagram

Primary

Secondary

12 11

14 13

T-15809

RHOMBUS P/N:

CUST P/N:

NAME:

SHEET:

Secondary

Primary

5/27/99

DATE:

1 OF 1

15801 Chemical Lane, Huntington Beach, CA 92649

Phone: (714) 898-0960

Rh om bu s

In du st ries In c.

FAX: (714) 896-0971

Tra nsfo rm e rs & Ma g ne tic Pro d uc ts

www.rhombus-ind.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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T1589N	ETC	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTORS
T1589N24TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3200A I(T)RMS, 1560000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1
T1589N26TOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3200A I(T)RMS, 1560000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1
T1589N28TOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1560000mA I(T), 2800V V(DRM)
T1589N28TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3200A I(T)RMS, 1560000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1