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T106M11

更新时间： 2024-09-19 18:03:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 4425K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB

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T106M11 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.08
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：0.2 mA
JEDEC-95代码：TO-202ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：4 A
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

T106M11 数据手册

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与T106M11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
T106M111 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3
T106M12 TECCOR

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3
T106M12 LITTELFUSE

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T106M121 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3
T106M123 LITTELFUSE

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T106M126 LITTELFUSE

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T106M12RP LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3
T106M13 LITTELFUSE

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 		暂无描述
T106M132 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 2
T106M14 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3

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