5秒后页面跳转
T106M14 PDF预览

T106M14

更新时间: 2024-11-10 18:03:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
12页 4425K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 PIN

T106M14 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.08
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.2 mAJESD-30 代码:R-PDIP-T3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:110 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:4 A
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

T106M14 数据手册

 浏览型号T106M14的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T106M14的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T106M14的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T106M14的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T106M14的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T106M14的Datasheet PDF文件第7页 

与T106M14相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
T106M141 LITTELFUSE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3
T106M143 LITTELFUSE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3
T106M1SD HUTSON

获取价格

4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-202,
T106M1SG HUTSON

获取价格

4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-202,
T106M2SD HUTSON

获取价格

4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-202, 3 PIN
T106M2SG HUTSON

获取价格

4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-202, 3 PIN
T106M2SH HUTSON

获取价格

4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-202, 3 PIN
T106M2SS HUTSON

获取价格

4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-202, 3 PIN
T106M3 LITTELFUSE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, T
T106M3 TECCOR

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, T