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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | JEDEC-95代码： | TO-202 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 最大均方根通态电流： | 4 A | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T106B11 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB |
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| T106B111 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106B112 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106B12 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106B121 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106B123 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 2 |
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| T106B126 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106B12RP | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106B13 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 2 |
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| T106B132 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 2 |
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