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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.08 | 其他特性： | SENSITIVE GATE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | JEDEC-95代码： | TO-202AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 4 A | 断态重复峰值电压： | 300 V |
| 重复峰值反向电压： | 300 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T106C111 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106C112 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106C12 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106C121 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106C123 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 2 |
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| T106C126 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106C12RP | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| T106C13 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 2 |
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| T106C132 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 2 |
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| T106C14 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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