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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | S-PDSO-N10 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.77 | 其他特性： | LOW CAPACITANCE |
| 最小击穿电压： | 5 V | 击穿电压标称值： | 5.3 V |
| 最大钳位电压： | 11 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N10 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 450 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 10 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 参考标准： | AEC-Q101, IEC-61000-4-2 | 最大重复峰值反向电压： | 3.3 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 反向测试电压： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SZESD11A5.0DT5G | ONSEMI |
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ESD / 浪涌保护器 |
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| SZESD1L001W1T2G | ONSEMI |
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低电容 ESD 保护二极管，用于高速数据线 |
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| SZESD5B5.0ST1G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管，双向 |
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| SZESD5B5.0ST5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管，双向 |
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| SZESD5Z12T1G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管，SOD-523 |
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| SZESD5Z12T5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管，SOD-523 |
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| SZESD5Z2.5T1G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管，SOD-523 |
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| SZESD5Z2.5T5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管，SOD-523 |
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| SZESD5Z3.3T1G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管，SOD-523 |
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| SZESD5Z3.3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护二极管，SOD-523 |
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