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SVT043R0NL5

更新时间： 2024-03-03 10:10:58

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士兰微 - SILAN		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	352K
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SVT043R0NL5 数据手册

士兰微电子

SVT043R0NT/L5 说明书

极限参数（除非特殊说明，T_C=25C）

参数值

参数

符号

单位

SVT043R0NT

SVT043R0NL5

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

±20

180

112

T_C=25°C

漏极电流

T_C=100°C

I_D

T_C=25°C （受限于封装）

160

100

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

720

179

100

0.8

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

1.43

W/C

C

单脉冲雪崩能量

工作结温范围

贮存温度范围

（注 1）

E_AS

T_J

441

-55～+150

T_stg

C

热阻特性

参数值

参数

符号

单位

SVT043R0NT

0.70

SVT043R0NL5

芯片对管壳热阻

R_θJC

R_θJA

1.25

C/W

芯片对环境的热阻

62.5

关键特性参数（除非特殊说明，T_C=25C）

参数

漏源击穿电压

漏源漏电流

符号

BV_DSS

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

R_DS(on)

R_G

测试条件

V_GS=0V，I_D=250µA

最小值

典型值

最大值

单位

1.0

±100

3.5

3.0

V_DS=40V，V_GS=0V

V_GS=±20V，V_DS=0V

V_GS=V_DS，I_D=250µA

V_GS=10V，I_D=50A

f=1MHz

µA

栅源漏电流

栅极开启电压

导通电阻

2.0

2.6

1.3

5616

545

410

m



栅极电阻

输入电容

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

输出电容

f=1MHz，V_GS=0V，V_DS=25V

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

V_DD=20V，V_GS=10V，R_G=4.5Ω，

I_D=150A

t_d(off)

t_f

（注 2，3）

Q_g

112

V_DD=32V，V_GS=10V，I_D=20A

（注 2，3）

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

Q_gs

Q_gd

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3

共 8 页第 2 页

http: //www.silan.com.cn

123 4 5 6 7 8

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