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SVSP11N60FJDD2

更新时间: 2024-03-03 10:08:38
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
10页 477K
描述
TO-220FJD-3L

SVSP11N60FJDD2 数据手册

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士兰微电子  
SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 说明书  
11A, 600V 超结 MOS功率管  
描述  
2
SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率  
MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术平台制造,具有很低的传导  
损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行  
为。  
1
3
1
TO-263-2L  
3
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
此外,SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 应用广泛。如,适用于  
/软开关拓扑。  
TO-252-2L  
1
2
3
特点  
1
2
3
TO-220-3L  
TO-262-3L  
11A600VRDS(on)(典型值 =0.3@VGS=10V  
)
创新高压技术  
低栅极电荷  
1
2
1
2
3
3
定期额定雪崩  
较强 dv/dt 能力  
高电流峰值  
TO-220F-3L  
TO-220FJD-3L  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
TO-252-2L  
TO-220F-3L  
TO-263-2L  
TO-263-2L  
TO-220FJD-3L  
TO-220-3L  
TO-262-3L  
打印名称  
环保等级  
无卤  
包装方式  
编带  
SVSP11N60DD2TR  
SVSP11N60FD2  
SVSP11N60SD2  
SVSP11N60SD2TR  
SVSP11N60FJDD2  
SVSP11N60TD2  
SVSP11N60KD2  
P11N60D  
P11N60FD2  
P11N60SD2  
P11N60SD2  
P11N60FJD  
P11N60TD2  
P11N60KD2  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
无卤  
编带  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.0  
10 页 第 1 页  

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