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SVSP11N70FD2

更新时间: 2024-09-18 15:19:19
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
10页 468K
描述
TO-220F-3L

SVSP11N70FD2 数据手册

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士兰微电子  
SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 说明书  
11A, 700V 超结 MOS功率管  
2
描述  
SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET  
采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损  
耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。  
此外,SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 应用广泛。如,适用于硬/  
软开关拓扑。  
1
1
3
TO-252-2L  
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
1
2
特点  
1
3
2
3
TO-251J-3L  
TO-220FJH-3L  
11A,700V, RDS(on)(典型值 =0.37@VGS=10V  
)
创新高压技术  
低栅极电荷  
1
1
2
3
3
定期额定雪崩  
较强 dv/dt 能力  
高电流峰值  
TO-220F-3L  
TO-263-2L  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
TO-220F-3L  
TO-220FJH-3L  
TO-252-2L  
打印名称  
P11N70FD2  
P11N70FJH  
P11N70D  
环保等级  
无卤  
包装方式  
料管  
SVSP11N70FD2  
SVSP11N70FJHD2  
SVSP11N70DD2TR  
SVSP11N70MJD2  
SVSP11N70SD2  
无卤  
料管  
无卤  
编带  
TO-251J-3L  
TO-263-2L  
P11N70MJD2  
P11N70SD2  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.1  
10 页 第 1 页  

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CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10V, 2.2uF, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
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CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10V, 4.7uF, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP