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SVSP11N65FJHD2

更新时间： 2024-04-09 18:59:41

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220FJH-3L

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SVSP11N65FJHD2 数据手册

士兰微电子

SVSP11N65FJHD2 说明书

11A, 650V 超结 MOS功率管

描述

SVSP11N65FJHD2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微

电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功

率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP11N65FJHD2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



11A,650V, R_DS(on)(_典型值=0.33@V_GS=10V

)

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩

较强 dv/dt 能力

高电流峰值

TO-220FJH-3L

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVSP11N65FJHD2

TO-220FJH-3L

P11N65FJH

无卤

料管

极限参数(除非特殊说明，T_A=25C)

参数

符号

V_DS

V_GS

参数值

单位

漏源电压

栅源电压

650

±30

T_C=25°C

T_C=100°C

漏极电流

I_D

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

耗散功率(T_C=25C)

-大于25C每摄氏度减少

0.28

W/C

单脉冲雪崩能量（注 1）

反向二极管 dv/dt（注 2）

MOS管 dv/dt 耐用性（注 3）

工作结温范围

E_AS

dv/dt

T_J

250

V/ns

C

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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