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SVSP24NF60FJDD2

更新时间： 2024-04-09 19:00:45

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士兰微 - SILAN		/
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8页	331K
描述
TO-220FJD-3L

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SVSP24NF60FJDD2 数据手册

士兰微电子

SVSP24NF60FJDD2 说明书

24A, 600V 超结 MOS功率管

描述

SVSP24NF60FJDD2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰

微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得

功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP24NF60FJD2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



24A，600V，R_DS(on)(_典型值=0.15@V_GS=10V

)

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩

较强 dv/dt 能力

高电流峰值

TO-220FJD-3L

命名规则

X N E X X X X X X

S V S P

公司超结MOS产品，用三位字符表示

第一位S：士兰公司产品

第二三位VS:多层外延工艺产品

工艺细分标识

D2:二代EMI版

E2：二代快速开关版

封装外形标识。例如：F:TO-220F

额定电流标识,采用1-2位数字；

例如:4 代表 4A

规格标识，区分不同栅氧厚度及不

同版本产品，通常缺省。

沟道极性标识，N代表N 沟道

特殊功能、规格标识，通常省略

例如：E 表示内置了ESD保护结构

额定耐压值，采用2位数字

例如：60表示600V,65表示650V。

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-220FJD-3L

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

SVSP24NF60FJDD2

P24NF60FJD

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

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