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SVSP11N65DD2

更新时间： 2024-03-03 10:09:30

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士兰微 - SILAN		/
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10页	480K
描述
TO-252-2L

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SVSP11N65DD2 数据手册

士兰微电子

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 说明书

11A, 650V 超结 MOS功率管

描述

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N沟道增强型高压功率MOSFET

采用士兰微电子超结 MOS 技术平台制造，具有很低的传导损耗和开

关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 应用广泛。如，适用于硬/

软开关拓扑。

TO-263-2L

1.栅极 2.漏极 3.源级

TO-220-3L

特点

TO-220FJD-3L

TO-220F-3L

TO-262-3L



11A,650V, R_DS(on)(_典型值=0.33@V_GS=10V

)

创新高压技术

低栅极电荷

TO-252-2L

定期额定雪崩

较强 dv/dt 能力

高电流峰值

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-252-2L

TO-220F-3L

TO-263-2L

TO-220FJD-3L

TO-262-3L

TO-220-3L

打印名称

P11N65D

环保等级

无卤

包装方式

编带

SVSP11N65DD2TR

SVSP11N65FD2

SVSP11N65SD2

SVSP11N65SD2TR

SVSP11N65FJDD2

SVSP11N65KD2

SVSP11N65TD2

P11N65FD2

P11N65SD2

P11N65FJD

P11N65KD2

P11N65TD2

无卤

料管

无卤

料管

无卤

编带

无卤

料管

无卤

料管

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

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SVSP14N65FJDD2	SILAN	获取价格	TO-220FJD-3L
SVSP14N65FJHE2	SILAN	获取价格	TO-220FJH-3L
SVSP1A105M	NEC	获取价格	Surface mount resin molded, Ultra miniaturized chip
SVSP1A105M	RENESAS	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10 V, 1 uF, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
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