士兰微电子
SVG103R9NS 说明书
典型特性曲线(续)
图7. 电容特性
图 8. 电荷量特性
100000
10000
1000
100
12
10
8
Ciss
Coss
Crss
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
VDS=80V
VDS=50V
VDS=20V
6
4
10
2
注:
1. VGS=0V
2. f=1MHz
注: ID=65A
0
1
0
20
40
60
80
100
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
漏源电压 - VDS(V)
总栅极电荷 - QG (nC)
图 9. 击穿电压 vs. 温度特性
图 10. 导通电阻 vs. 温度特性
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
注:
1. VGS=0V
2. ID=250uA
注:
1. VGS=10V
2. ID=50A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
结温 - TJ(°C)
结温 - TJ(°C)
图 11. 最大安全工作区域
图 12. 耗散功率 vs. 温度
103
102
101
100
10-1
210
180
150
120
90
10μs
100μs
1ms
10ms
此区域工作受限于
RDS(ON)
DC
60
注:
30
1.ID=f(VDS);TC=25°C;
2.单脉冲
0
10-1
100
101
102
103
0
25
50
75
100
125
150
175
漏源电压 – VDS (V)
温度 - TC(°C)
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.0
共 10 页 第 5 页
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