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SVG104R0NT

更新时间： 2024-03-03 10:10:37

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220-3L

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SVG104R0NT 数据手册

士兰微电子

SVG104R0NT(S)说明书

120A、100V N沟道增强型场效应管

描述

SVG104R0NT(S) N沟道增强型功率 MOS场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



120A，100V，R_DS(on)_{（典型值）}=3.4m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-263-2L

TO-220-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVG104R0NT

SVG104R0NS

SVG104R0NSTR

封装形式

TO-220-3L

TO-263-2L

打印名称

104R0NT

104R0NS

环保等级

无铅

包装方式

料管

无卤

料管

无卤

编带

极限参数（除非特殊说明，T_A=25C）

参数

符号

参数值

100

单位

漏源电压

V_DS

V_GS

栅源电压

±20

T_C=25°C

120

漏极电流

I_D

T_C=100°C

110

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

480

208

耗散功率（T_C=25C）

- 大于 25C 每摄氏度减少

1.7

W/C

C

单脉冲雪崩能量

工作结温范围

贮存温度范围

（注 1）

E_AS

T_J

780

-55～+150

T_stg

C

热阻特性

参数

符号

R_θJC

R_θJA

参数值

0.6

单位

C/W

芯片对管壳热阻

芯片对环境的热阻

62.5

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.5

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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