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SVG104R5NS

更新时间： 2024-03-03 10:10:18

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士兰微 - SILAN		/
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11页	413K
描述
TO-263-2L

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SVG104R5NS 数据手册

士兰微电子

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6)说明书

120A、100V N沟道增强型场效应管

描述

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶

体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该

产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-262L-3L

TO-220F-3L

提升了 dv/dt 能力

TO-263-2L

TO-220-3L

TO-263-6L

产品规格分类

产品名称

SVG104R5NT

SVG104R5NS

SVG104R5NSTR

SVG104R5NF

SVG104R5NKL

SVG104R5NS6

SVG104R5NS6TR

封装形式

TO-220-3L

TO-263-2L

TO-220F-3L

TO-262L-3L

TO-263-6L

打印名称

104R5NT

104R5NS

104R5NF

104R5NKL

104R5NS6

环保等级

无铅

包装方式

料管

编带

料管

编带

无卤

无铅

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.8

共 11 页第 1 页

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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SVG108R5NAL5	SILAN	PDFN5*6	获取价格