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SVG108R5NAMJ

更新时间： 2024-03-03 10:11:23

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士兰微 - SILAN		/
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8页	347K
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TO-251J-3L

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SVG108R5NAMJ 数据手册

士兰微电子

SVG108R5NAMQ(MJ)说明书

94A、100V N沟道增强型场效应管

描述

SVG108R5NAMQ(MJ) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具

有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

1. 栅极 2. 漏极 3.源极



94A，100V，R_DS(on)_{（典型值）}=7.2m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-251J-3L

TO-251Q-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVG108R5NAMQ

SVG108R5NAMJ

封装形式

TO-251Q-3L

TO-251J-3L

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

料管

108R5NAMQ

108R5NAMJ

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 8 页第 1 页

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SVG108R5NAT	SILAN	获取价格	TO-220-3L
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SVG-10A483ABT	CALIBER	获取价格	14 Pin and 6 Pin / SMD / HCMOS / VCXO Oscillator
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SVG-10A483AD-2.000MHZ	CALIBER	获取价格	Oscillator
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