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SVG103R9NS

更新时间： 2024-04-09 19:03:04

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士兰微 - SILAN		/
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10页	404K
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TO-263-2L

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SVG103R9NS 数据手册

士兰微电子

SVG103R9NS 说明书

电气参数（除非特殊说明，T_J=25C）

静态参数

参数值

单位

参数

符号

测试条件

V_GS=0V，I_D=250µA

最小值

典型值

最大值

漏源击穿电压

BV_DSS

I_DSS

100

µA

漏源漏电流

栅源漏电流

栅极开启电压

导通电阻

V_DS=100V，V_GS=0V，T_J=25C

V_GS=±20V，V_DS=0V

V_GS=V_DS，I_D=250µA

V_GS=10V，I_D=50A

f=1MHz

1.0

I_GSS

±100

4.0

V_GS(th)

R_DS(on)

R_g

2.0

3.2

2.2

3.9

m



栅极电阻

动态参数

参数值

典型值

6200

752

参数

符号

测试条件

单位

最小值

最大值

输入电容

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

输出电容

f=1MHz，V_GS=0V，V_DS=50V

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

V_DD=50V，V_GS=10V，R_G=1.6Ω，I_D=65A

（注 4，5）

t_d(off)

t_f

Q_g

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

栅极-平台电压

反向二极管特性参数

参数

Q_gs

Q_gd

V_plateau

V_DD=50V，V_GS=10V，I_D=65A

（注 4，5）

5.4

符号

I_S

测试条件

T_C=25C，MOS 管中源极、漏极构成

的反偏 P-N 结

最小值

典型值

最大值

120

480

1.4

单位

连续二极管正向电流

二极管脉冲电流

源-漏二极管压降

反向恢复时间

反向恢复电荷

I_S,pulse

V_SD

T_rr

I_S=65A，V_GS=0V

I_S=65A，V_GS=0V，V_R=50V，

dI_F/dt=100A/µs

（注 4）

Q_rr

156

注：

额定值仅指说明书中25度壳温下的最大绝对值，若壳温高于25度，需根据实际环境条件降额；

脉冲时间5µs，脉冲宽度受限于最大结温；

耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少1.52W/C；

脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

基本上不受工作温度的影响。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.0

共 10 页第 3 页

http: //www.silan.com.cn

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