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SVG105R4NT

更新时间： 2024-03-03 10:10:08

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士兰微 - SILAN		/
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9页	401K
描述
TO-220-3L

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SVG105R4NT 数据手册

士兰微电子

SVG105R4NT(S)(KL)说明书

120A、100V N沟道增强型场效应管

描述

SVG105R4NT(S)(KL) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



120A，100V，R_DS(on)_{（典型值）}=5.0m@V_GS=10V

低栅极电荷

TO-263-2L

低反向传输电容

TO-262L-3L

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

TO-220-3L

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

100

单位

2.0~4.0

5.4

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

120

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

SVG105R4NT

SVG105R4NS

SVG105R4NSTR

SVG105R4NKL

封装形式

TO-220-3L

TO-263-2L

TO-262L-3L

打印名称

105R4NT

105R4NS

105R4NKL

环保等级

无铅

包装方式

料管

无卤

料管

无卤

编带

无铅

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

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