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SVG105R5NT

更新时间： 2024-03-03 10:10:54

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SVG105R5NT 数据手册

士兰微电子

SVG105R5NT 说明书

120A、98V N沟道增强型场效应管

描述

SVG105R5NT N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的

LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的

导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



120A，98V，R_DS(on)_{（典型值）}=4.6m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-220-3L

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVG105R5NT

TO-220-3L

105R5NT

无铅

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 8 页第 1 页

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SVG108R5NAD	SILAN	TO-252-2L	获取价格
SVG108R5NAL5	SILAN	PDFN5*6	获取价格
SVG108R5NAMJ	SILAN	TO-251J-3L	获取价格
SVG108R5NAT	SILAN	TO-220-3L	获取价格
SVG-10A483AAT	CALIBER	14 Pin and 6 Pin / SMD / HCMOS / VCXO Oscillator	获取价格
SVG-10A483ABT	CALIBER	14 Pin and 6 Pin / SMD / HCMOS / VCXO Oscillator	获取价格