士兰微电子
SVG10120NSA 说明书
典型特性曲线
图 2. 传输特性
图 1. 输出特性
300
250
200
100
VGS=3.0V
VGS=3.5V
VGS=4.0V
VGS=4.5V
VGS=6.0V
VGS=10V
25°C
150°C
80
60
40
20
0
15
0
100
50
0
注:
1.VDS=5V
2.250µS 脉冲测试
注:
1.250µS 脉冲测试
2.Tc=25°C
0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
6
漏-源电压 - VDS (V)
栅-源电压 - VGS (V)
图 4. 体二极管正向压降 vs. 源极电流和温度
图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流
20
15
10
5
100
10
VGS=10V
VGS=4.5V
-55°C
25°C
150°C
1.0
0.1
注:
注:
Tc=25°C
1. VGS=0V
2. 250µS脉冲测试
0
0
5
10
15
20
25
30
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
漏电流 - ID (A)
源-漏电压 - VSD (V)
图 5. 电容特性
图 6. 电荷量特性
10000
0
12
10
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=短路)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
VDS=80V
VDS=50V
VDS=20V
10000
1000
100
10
Ciss
8
6
4
2
0
Coss
Crss
注:
1. VGS=0V
2. f=1MHz
注: ID=11.5A
1
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
漏-源电压 - VDS(V)
总栅极电荷 - QG (nC)
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.2
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