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SVG103R0NT

更新时间： 2024-03-03 10:07:21

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士兰微 - SILAN		/
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11页	407K
描述
TO-220-3L

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SVG103R0NT 数据手册

士兰微电子

SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7)说明书

180A、100V N沟道增强型场效应管

描述

SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N 沟道增强型功率 MOS 场效应

晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得

该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

2,3,5,6,7

1.栅极 2.漏极 3.源极

1.栅极 4.漏极 2,3,5,6,7.源极

TO-263-2L

特点

TO-262L-3L



180A，100V，R_DS(on)_{（典型值）}=2.5m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

TO-220-3L

开关速度快

TO-247-3L

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

TO-263-6L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

100

单位

2.2~3.8

3.0

V_GS(th)

R_DS(on)

，

m

max

720

I_D.pulse

Q_g.typ

171

产品规格分类

产品名称

SVG103R0NT

封装形式

TO-220-3L

TO-263-2L

TO-262L-3L

TO-263-6L

TO-247-3L

打印名称

103R0NT

103R0NS

103R0NKL

103R0NS6

103R0NP7

环保等级

包装方式

料管

无铅

无卤

无铅

无卤

无铅

SVG103R0NS

料管

SVG103R0NSTR

SVG103R0NKL

SVG103R0NS6TR

SVG103R0NP7

编带

料管

编带

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.5

共 11 页第 1 页

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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SVG104R0NS	SILAN	TO-263-2L	获取价格
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SVG104R2NT	SILAN	TO-220-3L	获取价格
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SVG104R5NS6	SILAN	TO-263-6L	获取价格