SUR506EF

更新时间： 2024-01-27 05:06:52

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可天士 - KODENSHI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	251K
描述
Epitaxial planar PNP silicon transistor

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SUR506EF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：	80	元件数量：	2
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SUR506EF 数据手册

SUR506EF

Epitaxial planar PNP silicon transistor

Descriptions

• Dual chip digital transistor

Features

• Two SRA2205 chips in SOT-563F package

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Package : SOT-563F

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

SUR506EF

SOT-563F

⁸⁸□

□ : Year & Week Code

Equivalent circuit & PIN Connections

• Equivalent Circuit

PIN Connections

1. COMMON 1

2. IN 1

3. OUT 2

4. COMMON 2

5. IN 2

R₁

R₂

47KΩ

2.2KΩ

Tr1

Tr2

Tr1

Tr2

47KΩ

2.2KΩ

6. OUT 1

Absolute Maximum Ratings [Tr1, Tr2]

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Output voltage

Input voltage

V_O

V_I

I_O

-50

-15, 5

-100

Output current

°C

※

P_D

Power dissipation

Junction temperature

150

T_J

150

Storage temperature range

T_stg

-55 ~ 150

°C

※: Total rating

KSD-R5U003-001

12 3 4 5

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