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SUR50N06-07L-E3

更新时间： 2024-09-27 14:45:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 98K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUR50N06-07L-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：96 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：136 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

SUR50N06-07L-E3 数据手册

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SUR50N06-07L  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
D 175_C Junction Temperature  
APPLICATIONS  
RoHS  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)c  
96  
COMPLIANT  
0.0074 @ V = 10 V  
GS  
60  
0.0088 @ V = 4.5 V  
GS  
88  
D Automotive Such As:  
– High-Side Switch  
– Motor Drives  
– 12-V Battery  
D Secondary Synchronous Rectification  
TO-252  
Reverse Lead DPAK  
D
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SUR50N06-07L—E3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
60  
DS  
V
V
GS  
ꢀ
2
0
c
T
= 25_C  
96  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
c
T
= 100_C  
67  
C
A
Pulsed Drain Current  
I
100  
45  
DM  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Repetitive Avalanche Energy  
Power Dissipation  
I
AS  
L = 0.1 mH  
a
E
AS  
101  
mJ  
W
T
= 25_C  
P
136  
C
D
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 175  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t
ꢁ
1
0
s
e
c
15  
40  
18  
50  
b
Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJC  
Steady State  
_C/W  
Junction-to-Case  
R
0.85  
1.1  
Notes:  
a. Duty cycle ꢁ 1%.  
b. Surface mounted on 1” FR4 board.  
c. Based on maximum allowable Junction Temperature. Package limitation current is 50 A.  
Document Number: 73561  
S–52324—Rev. A, 07-Nov-05  
www.vishay.com  
1
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