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SUR512EF

更新时间： 2024-09-26 22:21:11

品牌	Logo	应用领域
韩国光电子 - AUK		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	80K
描述
NPN/PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

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SUR512EF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：	70	元件数量：	2
极性/信道类型：	NPN/PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SUR512EF 数据手册

SUR512EF

Semiconductor

NPN/PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

Description

• Digital transistor

Outline

Features

• Both SRC1203 chip and SRA2203. chip

in SOT-563F package

Tr2

Tr1

• With built-in bias resistors

PIN Connections

1. Emitter 1

2. Base 1

3. Collector 2

4. Emitter 2

5. Base 2

Ordering Information

R₂

R₁

Type No.

Marking

Package Code

SOT-563F

22KΩ

Tr1

Tr2

SUR512EF

22KΩ

6. Collector 1

Absolute maximum ratings ^{(Tr1, Tr2)}

Ta=25°C

Ratings

Characteristic

Symbol

Unit

Tr1

Tr2

Out Voltage

V_O

V_I

-50

Input Voltage

-40

Out Current

I_O

100

-100

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P_D

100

150

T_J

T_STG

-55 ~ 150

°C

Electrical Characteristics^{(Tr1 : NPN)}

Ta=25°C

Characteristic

Output Cut-off Current

DC Current Gain

Symbol

I_O(OFF)

G_I

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

V_O=50V, V_I=0

500

V_O=5V, I_O=10mA

I_O=10mA, I_I=0.5mA

V_O=0.2V, I_O=5mA

V_O=5V, I_O=0.1mA

V_O=10V, I_O=5mA

V_I=5V

120

0.1

2.1

1.2

200

Output Voltage

V_O(ON)

V_I(ON)

V_I(OFF)

f_T^*

0.3

3.0

Input Voltage (ON)

Input Voltage (OFF)

Transition Frequency

Input Current

1.0

MHz

I_I

0.36

* : Characteristic of Transistor Only

KST-J011-000

12 3

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