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SUR519J

更新时间： 2024-01-04 22:16:00

品牌	Logo	应用领域
可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	276K
描述
Epitaxial planar NPN silicon transistor

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SUR519J 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	80
元件数量：	2	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON

SUR519J 数据手册

SUR519J

Epitaxial planar NPN silicon transistor

Description

• Dual chip digital transistor

Features

• Two SRC1207 chips in SOT-363 package

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Package : SOT-363

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

S □

① ②

SUR519J

SOT-363

①Device Code ②Year&Week Code

Equivalent circuit & PIN Connections

• Equivalent Circuit

PIN Connections

1. COMMON 1

2. IN 1

R₁

R₂

3. OUT 2

4. COMMON 2

5. IN 2

Tr1

47KΩ

10KΩ

Tr1

Tr2

47KΩ

10KΩ

6. OUT 1

Absolute Maximum Ratings [Tr1, Tr2]

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Output voltage

Input voltage

V_O

V_I

I_O

30,-6

100

Output current

°C

※

P_D

Power dissipation

Junction temperature

200

T_J

150

Storage temperature range

T_stg

-55 ~ 150

°C

※: Total rating

KSD-R5S005-002

12 3 4 5

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