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SUR522H

更新时间： 2024-01-18 14:17:10

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	264K
描述
Epitaxial planar NPN silicon transistor

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SUR522H 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	120
元件数量：	2	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SUR522H 数据手册

SUR522H

Epitaxial planar NPN silicon transistor

Description

• Dual chip digital transistor

Features

• Two SRC1211 chips in SOT-353 package

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Package : SOT-353

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

SUR522H

SOT-353

^22H□

□ : Year & Week Code

Equivalent circuit & PIN Connections

• Equivalent Circuit

R₁

PIN Connections

1. IN 1

2. COMMON 1,2

3. IN 2

4. OUT 2

Tr1

Tr2

10KΩ

Tr2

Tr1

5. OUT 1

Absolute Maximum Ratings ^{[Tr1, Tr2]}

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Output voltage

Input voltage

V_O

V_I

I_O

30, -5

100

Output current

°C

※

P_D

T_J

T_stg

Power dissipation

Junction temperature

200

150

Storage temperature range

-55 ~ 150

°C

※: Total rating

KSD-R5R007-001

12 3 4 5

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