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SUR50N03-06AP-E3

更新时间： 2024-01-26 05:55:30
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 126K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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SUR50N03-06AP-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches：1

SUR50N03-06AP-E3 数据手册

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SUR50N03-06AP  
New Product  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) ( )  
ID (A)a, e  
Qg (Typ)  
D Optimized for Low–Side Synchronous  
Rectifier Operation  
RoHS  
0.0057 @ V = 10 V  
90  
77  
GS  
30  
30  
COMPLIANT  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
0.0078 @ V = 4.5 V  
GS  
D DC/DC Converters  
D Synchronous Rectifiers  
TO-252  
Reverse Lead DPAK  
D
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SUR50N03-06AP—E3 (Lead (Pb)-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
30  
V
"20  
a, e  
90  
T
T
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
C
a, e  
75  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
b, c  
30  
T
A
b, c  
25  
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
100  
DM  
a, e  
55  
T
= 25_C  
= 25_C  
C
Continuous Source-Drain Diode Current  
I
S
b, c  
6.7  
T
A
Avalanche Current Pulse  
I
AS  
45  
101  
83  
L = 0.1 mH  
Single Pulse Avalanche Energy  
E
AS  
mJ  
W
T
T
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
C
58  
C
Maximum Power Dissipation  
P
D
b, c  
10  
T
A
b, c  
7
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
b, d  
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
12  
15  
t p 10 sec  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case  
Notes:  
Steady State  
R
thJC  
1.5  
1.8  
a. Based on T = 25_C.  
C
b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.  
c. t = 10 sec  
d. Maximum under steady state conditions is 50_C/W.  
e. Calculated based on maximum junction temperature. Package limitation current is 50 A.  
Document Number: 73576  
S–52238—Rev. A, 24-Oct-05  
www.vishay.com  
1
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与SUR50N03-06AP-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUR50N03-06P VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUR50N03-06P-T4-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 27 A, 30 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3, F
SUR50N03-09P VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SUR50N03-12P VISHAY

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