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SUR481H

更新时间： 2024-02-10 11:51:28

品牌	Logo	应用领域
可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	302K
描述
Epitaxial planar NPN/PNP silicon transistor

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SUR481H 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	120
元件数量：	2	极性/信道类型：	NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SUR481H 数据手册

SUR481H

Epitaxial planar NPN/PNP silicon transistor

Description

• Dual chip digital transistor

Features

• Both SRC1210 chip and SRA2210 chip in SOT-353 package

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Package : SOT-353

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

SOT-353

SUR481H

^X4□

□ : Year & Week Code

Equivalent circuit & PIN Connections

• Equivalent Circuit

PIN Connections

1. COMMON 1

2. IN 1

3. COMMON 2

4. OUT 2

R₁

Tr1

Tr2

4.7KΩ

Tr2

5. OUT 1, IN 2

Absolute Maximum Ratings [Tr1,Tr2]

(Ta=25°C)

Rating

Characteristic

Symbol

Unit

Tr1

Tr2

Output voltage

Input voltage

V_O

V_I

I_O

-50

-20,5

-100

20,-5

100

Output current

°C

※

P_D

Power dissipation

Junction temperature

200

150

T_J

Storage temperature range

T_stg

-55 ~ 150

°C

※: Total rating

KSD-R5R001-001

12 3 4 5

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