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STX625

更新时间: 2024-02-05 07:45:47
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SSDI 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
1页 101K
描述
HIGH VOLTAGE PNP TRANSISTOR CHIP

STX625 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, S-XUUC-N2针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.8
集电极-发射极最大电压:450 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:S-XUUC-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):20 MHz
Base Number Matches:1

STX625 数据手册

  

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