STX715

更新时间： 2024-01-13 14:58:33

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体小信号双极晶体管开关
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4页	39K
描述
NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

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STX715 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

STX715 数据手册

STX715

NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

Type

Marking

X715

STX715

■

DEVICE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE

PCB ASSEMBLY

APPLICATIONS

■

VOLTAGE REGULATION

RELAY DRIVER

GENERIC SWITCH

TO-92

DECRIPTION

The STX715 is a NPN transistor manufactured

using Planar Technology resulting in rugged high

performance devices.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

140

1.5

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

I_B

0.3

I_BM

Base Peak Current (t_p< 5 ms)

0.6

P_tot

Total Dissipation at T_amb= 25 C

0.9

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/4

April 2002

12 3 4

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