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STX725

更新时间: 2024-01-31 17:44:17
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SSDI 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
1页 107K
描述
HIGH VOLTAGE PNP TRANSISTOR CHIP

STX725 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, S-XUUC-N2针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.8
集电极-发射极最大电压:450 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15JESD-30 代码:S-XUUC-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):25 MHzBase Number Matches:1

STX725 数据手册

  

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