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STW68N60M6

更新时间： 2023-12-20 18:46:00

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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13页	470K
描述
N沟道600 V、35 mOhm典型值、63 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封装

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STW68N60M6 数据手册

STW68N60M6

Electrical characteristics (curves)

Figure 7. Capacitance variations

Figure 8. Normalized gate threshold vs. temperature

GADG210320171544CVR

GADG210320171542VTH

V_GS(th)

(pF)

(norm.)

I_D=250 A

1.1

10 ⁴

10 ³

1.0

0.9

0.8

C_iss

Coss

C_rss

f = 1 MHz

10 ²

10 ¹

0.7

0.6

10 ^-1

10 ⁰

10 ¹

10 ²

V_CE(V)

-75

-25

125

T_J(°C)

Figure 10. Normalized V_(BR)DSSvs. temperature

Figure 9. Normalized on-resistance vs. temperature

GADG210320171543RON

R_DS(on)

(norm.)

GADG210320171543BDV

V_(BR)DSS

(norm.)

2.5

1.10

1.05

1.00

0.95

V_GS= 10 V

I_D= 1 mA

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0.90

0.85

-75

-25

125

T_J(°C)

-75

-25

125

T_J(°C)

Figure 11. Output capacitance stored energy

Figure 12. Source-drain diode forward characteristics

GADG210320171545EOS

GADG210320171544SDF

E_OSS

V_SD

(µJ)

(V)

1.1

T_j= -50 °C

1.0

0.9

T_j= 25 °C

0.8

T_j= 150 °C

0.7

0.6

0.5

100 200 300 400 500 600 V_DS(V)

I_SD(A)

DS12066 - Rev 2

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