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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STV160NF02LT4
STV160NF02LT4 PDF预览

STV160NF02LT4

更新时间： 2024-01-22 20:24:56
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 355K
描述
N-CHANNEL 20V - 0.0016Ω - 160A PowerSO-10 STripFET™ II POWER MOSFET

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STV160NF02LT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-10, 10 PIN
针数：10Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：160 A最大漏源导通电阻：0.0035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G10
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：10
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：640 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STV160NF02LT4 数据手册

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STV160NF02L  
N-CHANNEL 20V - 0.0016Ω - 160A PowerSO-10  
STripFET™ II POWER MOSFET  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STV160NF02L  
20 V  
< 0.0025 Ω  
160 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0016 Ω  
DS  
LOW THRESHOLD DRIVE  
ULTRA LOW ON-RESISTANCE  
ULTRA FAST SWITCHING  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE CHARGE  
10  
1
PowerSO-10  
LOW PROFILE, VERY LOW PARASITIC  
INDUCTANCE PowerSO-10 PACKAGE  
INTERNAL CHEMATIC DIAGRAM  
DESCRIPTION  
The STV160NF02L represents the second gener-  
ation of Application Specific STMicroelectronics  
well established STripFET™ process based on a  
very unique strip layout design. The resulting  
MOSFET shows unrivalled high packing density  
with ultra low on-resistance and superior switching  
charactestics. Process simplification also trans-  
lates into improved manufacturing reproducibility.  
This device is particularly suitable for high current,  
low voltage switching application where efficiency  
is crucial  
CONNECTION DIAGRAM (TOP VIEW)  
APPLICATIONS  
■
BUCK CONVERTERS IN HIGH  
PERFORMACE TELECOM AND VRMs DC-  
DC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
20  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
20  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 15  
160  
V
GS  
I (**)  
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
C
I
D
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
113  
A
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
640  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
210  
W
W/°C  
J
TOT  
C
Derating Factor  
1.4  
E
AS  
(1)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
1.5  
T
–65 to 175  
°C  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
175  
j
(1) Starting T =25°C , I = 80A, V = 20V  
(**)Limited only maximum junction temperature allowed by  
PowerSO-10  
j
D
DD  
(■) Pulse width limited by safe operating area  
February 2004  
1/8  
12345678

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STV160NF02LT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STV160NF02LAT4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 160A, 20V, 0.0037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SO-10
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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