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STV18N20

更新时间: 2024-01-23 05:38:52
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 188K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | SMT

STV18N20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SM-10Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):18 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
Base Number Matches:1

STV18N20 数据手册

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