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STTH5R06B-TR

更新时间: 2024-02-09 07:12:42
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 高压
页数 文件大小 规格书
8页 138K
描述
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER

STTH5R06B-TR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:2.29其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):3.2 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:70 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:30 µA
最大反向恢复时间:0.035 µs表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

STTH5R06B-TR 数据手册

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STTH5R06D/FP/B/G  
Fig. 3-1: Relative variation of thermal impedance  
junction to case versus pulse duration (TO-220AC,  
DPAK, D2PAK).  
Fig. 3-2: Relative variation of thermal impedance  
junction to case versus pulse duration  
(TO-220FPAC).  
Zth(j-c)/Rth(j-c)  
1.0  
Zth(j-c)/Rth(j-c)  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.9  
0.8  
0.7  
δ = 0.5  
0.6  
0.6  
δ = 0.5  
0.5  
0.5  
0.4  
0.4  
δ = 0.2  
δ = 0.1  
0.3  
δ = 0.2  
0.3  
T
T
0.2  
δ = 0.1  
0.2  
Single pulse  
0.1  
tp(s)  
0.1  
tp  
1.E+00  
tp(s)  
Single pulse  
=tp/T  
δ
tp  
1.E+01  
=tp/T  
δ
0.0  
1.E-03  
0.0  
1.E-03  
1.E-02  
1.E-01  
1.E-02  
1.E-01  
1.E+00  
Fig. 4: Peak reverse recovery current versus  
dIF/dt (90% confidence).  
Fig. 5: Reverse recovery time versus dIF/dt  
(90% confidence).  
IRM(A)  
trr(ns)  
80  
22  
VR=400V  
VR=400V  
Tj=125°C  
20  
Tj=125°C  
IF=2 x IF(av)  
70  
18  
60  
16  
IF=2 x IF(av)  
IF=IF(av)  
14  
IF=0.5 x IF(av)  
50  
IF=IF(av)  
12  
IF=0.5 x IF(av)  
40  
IF=0.25 x IF(av)  
10  
30  
20  
8
6
4
10  
2
dIF/dt(A/µs)  
dIF/dt(A/µs)  
0
0
0
200  
400  
600  
800  
1000  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
Fig. 7: Softness factor versus dIF/dt (typical  
values).  
Fig. 6: Reverse recovery charges versus dIF/dt  
(90% confidence).  
Qrr(nC)  
350  
S factor  
0.70  
IF=IF(av)  
VR=400V  
Tj=125°C  
VR=400V  
Tj=125°C  
IF=2 x IF(av)  
0.65  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
0.60  
0.55  
0.50  
0.45  
0.40  
0.35  
0.30  
0.25  
0.20  
IF=IF(av)  
IF=0.5 x IF(av)  
0.15  
dIF/dt(A/µs)  
dIF/dt(A/µs)  
0.10  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
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