STTH5R06B-TR

更新时间： 2024-01-18 13:33:08

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		高压
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描述
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER

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STTH5R06B-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	2.29	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	3.2 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	70 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	30 µA
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

STTH5R06B-TR 数据手册

STTH5R06D/FP/B/G

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

TO-220AC / DPAK / D²PAK

TO-220FPAC

Value

3.0

Unit

R_{th (j-c)}Junction to case

°C/W

5.5

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Tests conditions

Min. Typ. Max.

Unit

I_R

Reverse leakage

current

V_R= 600V

Tj = 25°C

Tj = 125°C

Tj = 25°C

Tj = 125°C

µA

250

2.9

1.8

V_F

Forward voltage drop I_F= 5 A

1.4

To evaluate the maximum₂conduction losses use the following equation :

P = 1.16 x I_F(AV)+ 0.128 I_{F (RMS)}

DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol

Tests conditions

Min.

Typ. Max. Unit

trr

I_F= 0.5 A Irr = 0.25 A I_R= 1A Tj = 25°C

I_F= 1 A dI_F/dt = - 50 A/µs

V_R= 30V

I_RM

S factor

Qrr

V_R= 400 V I_F= 5A

dI_F/dt = - 200A/µs

Tj = 125°C

Tj = 25°C

5.0

0.35

110

6.0

tfr

I_F= 5 A

dI_F/dt = 40 A/µs

150

4.5

V_FR= 1.1 x V_Fmax

V_FP

Fig. 1: Conduction losses versus average current.

Fig. 2: Forward voltage drop versus forward

current.

P(W)

IFM(A)

δ = 0.1

δ = 0.2

δ = 0.05

δ = 0.5

δ = 1

Tj=125°C

(Maximum values)

Tj=125°C

(Typical values)

Tj=25°C

(Maximum values)

IF(av)(A)

VFM(V)

=tp/T

2/8

123 4 5 6 7 8

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