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STTH5R06B-TR

更新时间: 2024-01-14 03:27:08
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 高压
页数 文件大小 规格书
8页 138K
描述
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER

STTH5R06B-TR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:2.29其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):3.2 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:70 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:30 µA
最大反向恢复时间:0.035 µs表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

STTH5R06B-TR 数据手册

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STTH5R06D/FP/B/G  
PACKAGE MECHANICAL DATA  
D2PAK  
DIMENSIONS  
Millimeters Inches  
Min. Min.  
REF.  
Max.  
4.60  
2.69  
0.23  
0.93  
1.70  
0.60  
1.36  
9.35  
10.40  
5.28  
15.85  
1.40  
1.75  
3.20  
Max.  
0.181  
0.106  
0.009  
0.037  
0.067  
0.024  
0.054  
0.368  
0.409  
0.208  
0.624  
0.055  
0.069  
0.126  
A
A
A1  
A2  
B
4.40  
2.49  
0.03  
0.70  
1.14  
0.45  
1.23  
8.95  
10.00  
4.88  
15.00  
1.27  
1.40  
2.40  
0.173  
0.098  
0.001  
0.027  
0.045  
0.017  
0.048  
0.352  
0.393  
0.192  
0.590  
0.050  
0.055  
0.094  
E
C2  
L2  
D
B2  
C
L
L3  
A1  
C2  
D
B2  
R
C
B
E
G
G
L
A2  
L2  
L3  
M
M
*
V2  
R
0.40 typ.  
0.016 typ.  
* FLAT ZONE NO LESS THAN 2mm  
V2  
0°  
8°  
0°  
8°  
FOOT PRINT DIMENSIONS (in millimeters)  
16.90  
10.30  
5.08  
1.30  
3.70  
8.90  
7/8  

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