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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS60L15CW
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STPS60L15CW

更新时间： 2024-11-11 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管肖特基二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 60K
描述
LOW DROP OR-ing POWER SCHOTTKY DIODE

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STPS60L15CW 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AC包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.81Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.33 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：15 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS60L15CW 数据手册

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®
STPS60L15CW  
LOW DROP OR-ing POWER SCHOTTKY DIODE  
MAJOR PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 30 A  
15 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
125°C  
0.33 V  
FEATURES AND BENEFITS  
■
VERY LOW FORWARD VOLTAGE DROP FOR  
LESS POWER DISSIPATION AND REDUCED  
HEATSINK SIZE  
■
■
OPERATION JUNCTION TEMPERATURE: 125°C  
REVERSE VOLTAGE SUITED TO OR-ing OF  
3V, 5V and 12V RAILS  
A2  
K
A1  
■
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
TO-247  
Dual center tap schottky rectifier packaged in  
TO-247 and suited for N+1 redundancy  
operations, this device has an optimized forward  
voltage drop to reduce the power losses in the  
application.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
15  
Unit  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
40  
30  
A
A
RMS forward current  
Average forward current  
Tcase = 115°C Per diode  
δ = 0.5  
60  
Per device  
IFSM  
400  
A
Surge non repetitive forward  
current  
tp = 10 ms Sinusoidal  
IRRM  
IRSM  
PARM  
Tstg  
2
3
A
A
Peak repetitive reverse current  
tp = 2µs F = 1kHz  
Non repetitive peak reverse current tp = 100µs  
24000  
- 65 to + 150  
125  
W
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 1µs Tj = 25°C  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 1A  
1/4  
1234

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