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STPS2045CG

更新时间： 2024-11-17 22:34:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
7页 86K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS2045CG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.2Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.57 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
最大反向电流：15000 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

STPS2045CG 数据手册

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STPS2045CT/CF/CG  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 10 A  
45 V  
A1  
K
A2  
Tj (max)  
VF (max)  
175 °C  
0.57 V  
FEATURES AND BENEFITS  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
NEGLIGIBLESWITCHING LOSSES  
EXTREMELYFAST SWITCHING  
A2  
A2  
K
K
A1  
A1  
INSULATEDPACKAGE:ISOWATT220AB  
Insulatingvoltage = 2000V DC  
Capacitance= 12pF  
TO-220AB  
STPS2045CT  
ISOWATT220AB  
STPS2045CF  
K
DESCRIPTION  
Dualcenter tap Schottkyrectifiersuited for Switch-  
Mode Power Supplyand high frequencyDC to DC  
converters.  
A2  
Packaged either in TO-220AB, ISOWATT220AB  
or D2PAK, this device is especially intended for  
use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling and polarityprotection applications.  
A1  
D2PAK  
STPS2045CG  
ABSOLUTE RATINGS (limitingvalues, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Value  
45  
Unit  
V
VRRM  
Repetitivepeak reverse voltage  
IF(RMS) RMSforward current  
30  
A
IF(AV)  
Averageforwardcurrent  
TO-220AB  
D2PAK  
Tc = 155°C Per diode  
10  
A
δ
= 0.5  
ISOWATT220AB Tc = 125°C Per device  
20  
180  
1
IFSM  
IRRM  
Surge non repetitive forward current  
Repetitivepeak reverse current  
tp = 10 ms sinusoidal  
A
A
tp = 2 µs square  
F = 1kHz  
IRSM  
Tstg  
Tj  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperaturerange  
2
A
tp = 100 ms square  
-65 to +175 °C  
Maximum operatingjunction temperature*  
Critical rateof rise of reverse voltage  
175  
°C  
dV/dt  
10000  
V/µs  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runawayconditionfor a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
June 1999 - Ed: 3B  
1/7  
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STPS2045CG 替代型号

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