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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS20H100CT-H
STPS20H100CT-H PDF预览

STPS20H100CT-H

更新时间： 2024-11-05 13:14:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
7页 90K
描述
100V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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STPS20H100CT-H 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, LOW LEAKAGE CURRENT应用：POWER
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.88 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：4.5 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS20H100CT-H 数据手册

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STPS20H100CT/CF/CG/CG-1  
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
Tj  
2 x 10 A  
100 V  
A1  
A2  
K
175°C  
0.64 V  
VF (max)  
FEATURES AND BENEFITS  
n
n
n
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
HIGHJUNCTION TEMPERATURE CAPABILITY  
GOODTRADE OFF BETWEENLEAKAGE CUR-  
RENT AND FORWARD VOLTAGE DROP  
LOW LEAKAGE CURRENT  
AVALANCHE RATED  
INSULATED PACKAGE: ISOWATT220AB  
Insulating Voltage = 2000V DC  
Capacitance = 45 pF  
A2  
K
A2  
K
A1  
TO-220AB  
STPS20H100CT  
A1  
ISOWATT220AB  
STPS20H100CF  
n
n
n
K
DESCRIPTION  
A2  
A2  
A1  
Dual center tap schottky rectifier designed for  
high frequency miniature Switched Mode  
Power Supplies such as adaptators and on  
board DC/DC converters.  
K
A1  
D2PAK  
STPS20H100CG  
I2PAK  
STPS20H100CG-1  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
30  
Unit  
V
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV) Average forward  
TO-220AB  
Tc = 160°C  
per diode  
per device  
10  
20  
A
current δ = 0.5  
D2PAK / I2PAK  
ISOWATT220AB Tc = 145°C  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
Tj  
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms sinusoidal  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs square F = 1kHz  
250  
A
A
1
3
Non repetitive peak reverse current tp = 100 µs square  
Storage temperature range  
A
- 65 to + 175  
175  
°C  
°C  
V/µs  
Maximum operating junction temperature *  
dV/dt Critical rate of rise of reverse voltage  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j − a)  
May 2000 - Ed: 3C  
1/7  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		20A, 120V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FN, 3 PIN
STPS20L120CT STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
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