5秒后页面跳转
STE250NS10 PDF预览

STE250NS10

更新时间: 2024-01-12 17:26:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 300K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.0045 W - 220A ISOTOP STripFET POWER MOSFET

STE250NS10 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:ISOTOP
包装说明:ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:8.61Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):800 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):220 A最大漏极电流 (ID):220 A
最大漏源导通电阻:0.0055 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):500 W最大脉冲漏极电流 (IDM):880 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STE250NS10 数据手册

 浏览型号STE250NS10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STE250NS10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STE250NS10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STE250NS10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STE250NS10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STE250NS10的Datasheet PDF文件第7页 
STE250NS10  
N-CHANNEL 100V - 0.0045 - 220A ISOTOP  
STripFET™ POWER MOSFET  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STE250NS10  
100 V  
<0.0055 Ω  
220A  
TYPICAL R (on) = 0.0045Ω  
DS  
STANDARD THRESHOLD DRIVE  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATIONS  
SMPS & UPS  
MOTOR CONTROL  
WELDING EQUIPMENT  
ISOTOP  
OUTPUT STAGE FOR PWM, ULTRASONIC  
CIRCUITS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 k)  
100  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
220  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
D
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
156  
A
C
I ()  
DM  
Drain Current (pulsed)  
880  
A
P
Total Dissipation at T = 25°C  
500  
W
tot  
C
Derating Factor  
4
W/°C  
V/ns  
V
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (AC-RMS)  
Storage Temperature  
3.5  
dv/dt  
V
2500  
-55 to 150  
150  
ISO  
T
stg  
°C  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
() Pulse width limited by safe operating area.  
(1 )I 220A, di/dt 200A/µs, V V  
, T T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
.
September 2001  
1/8  
.

STE250NS10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STE180NE10 STMICROELECTRONICS

类似代替

N-CHANNEL 100V - 4.5 mohm - 180A ISOTOP STripFET] POWER MOSFET
IXFN200N10P IXYS

功能相似

Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFN170N10 IXYS

功能相似

HiPerFET Power MOSFET

与STE250NS10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STE250NS10_06 STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 100V - 0.0045ヘ - 220A - ISOTOP STri
STE26N50 STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE
STE26NA90 STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET
STE30NK90Z STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 900V - 0.21з - 28A ISOTOP Zener-Pro
STE30NK90Z_06 STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 900V - 0.21ヘ - 28A ISOTOP Zener-Pro
STE315AC CALIBER

获取价格

6 Pad Clipped Sinewave TCXO Oscillator
STE315AC10 CALIBER

获取价格

6 Pad Clipped Sinewave TCXO Oscillator
STE315AC10-9.6000M CALIBER

获取价格

Oscillator,
STE315AC5 CALIBER

获取价格

6 Pad Clipped Sinewave TCXO Oscillator
STE315AC5-35.000M CALIBER

获取价格

Oscillator,