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STE30NK90Z

更新时间: 2024-01-11 15:54:49
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
10页 225K
描述
N-CHANNEL 900V - 0.21з - 28A ISOTOP Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

STE30NK90Z 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:ISOTOP包装说明:ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
Is Samacsys:N其他特性:HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas):500 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A最大漏极电流 (ID):28 A
最大漏源导通电阻:0.26 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PUFM-X4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):600 W最大脉冲漏极电流 (IDM):112 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Nickel (Ni)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STE30NK90Z 数据手册

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STE30NK90Z  
N-CHANNEL 900V - 0.21- 28A ISOTOP  
Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
Pw  
STE30NK90Z  
900 V < 0.26 Ω  
28 A 500 W  
TYPICAL RDS(on) = 0.21 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
GATE CHARGE MINIMIZED  
DESCRIPTION  
ISOTOP  
The SuperMESH™ series is obtained through an  
extreme optimization of ST’s well established  
strip-based PowerMESH™ layout. In addition to  
pushing on-resistance significantly down, special  
care is taken to ensure a very good dv/dt capability  
for the most demanding applications. Such series  
complements ST full range of high voltage MOS-  
FETs including revolutionary MDmesh™ products.  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
IDEAL FOR WELDING EQUIPMENT  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
STE30NK90Z  
E30NK90Z  
ISOTOP  
TUBE  
Rev.3  
January 2005  
1/10  

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