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STE26NA90

更新时间: 2024-02-20 04:15:45
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 95K
描述
N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET

STE26NA90 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:ISOTOP
包装说明:ISOTOP-4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.8其他特性:UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas):3000 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):26 A最大漏极电流 (ID):26 A
最大漏源导通电阻:0.3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):450 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):104 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STE26NA90 数据手册

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STE26NA90  
N - CHANNEL 900V - 0.25  
- 26A - ISOTOP  
FAST POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STE26NA90  
900 V  
< 0.3 Ω  
26 A  
TYPICAL RDS(on) = 0.25 Ω  
30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INTRINSIC CAPACITANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
REDUCED VOLTAGE SPREAD  
±
APPLICATIONS  
ISOTOP  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
DC-AC CONVERTER FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE  
POWER SUPPLY AND MOTOR DRIVE  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
900  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)  
Gate-source Voltage  
900  
V
30  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
26  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
16.2  
104  
A
I
DM()  
Drain Current (pulsed)  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
450  
W
Derating Factor  
3.6  
W/oC  
oC  
oC  
V
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-55 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
Insulation Withstand Voltage (AC-RMS)  
VISO  
2500  
() Pulse width limited by safe operating area  
1/8  
October 1998  

STE26NA90 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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