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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.82 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A | 最大漏极电流 (ID)： | 24 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.385 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 450 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 96 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STE250N05 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
250A, 50V, 0.004ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, ISOTOP-4 |
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| STE250N06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE |
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| STE250NS10 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.0045 W - 220A ISOTOP STripFET POWER MOSFET |
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| STE250NS10_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100V - 0.0045ヘ - 220A - ISOTOP STri |
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| STE26N50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE |
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| STE26NA90 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET |
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| STE30NK90Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 0.21з - 28A ISOTOP Zener-Pro |
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| STE30NK90Z_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 900V - 0.21ヘ - 28A ISOTOP Zener-Pro |
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| STE315AC | CALIBER |
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6 Pad Clipped Sinewave TCXO Oscillator |
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| STE315AC10 | CALIBER |
获取价格 |
6 Pad Clipped Sinewave TCXO Oscillator |
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