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| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 2.15 |
| Samacsys Description： | NULL | 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB24N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，D |
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| STB24N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.185 Ohm典型值、16 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STB24-N-7 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-N-8 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB24-N-9 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
|
| STB24NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET |
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| STB24NF10_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.0055OHM - 26A - TO-220 - D2PAK Low gate charge STripFET TM II Power MOS |
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| STB24NF10T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263AB |
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| STB24NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO |
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| STB24-O-0 | TE |
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STD and STB Markers |
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