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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 20页 | 1178K |  |
| 描述 | ||
| N沟道650 V、0.185 Ohm典型值、16 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装 | ||
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 7.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 650 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A | 最大漏极电流 (ID)： | 16 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB24-N-7 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-N-8 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-N-9 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET |
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| STB24NF10_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.0055OHM - 26A - TO-220 - D2PAK Low gate charge STripFET TM II Power MOS |
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| STB24NF10T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263AB |
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| STB24NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO |
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| STB24-O-0 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-O-1 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-O-2 | TE |
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STD and STB Markers |
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