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STB24N65M2

更新时间： 2024-11-03 14:58:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
20页 1178K
描述
N沟道650 V、0.185 Ohm典型值、16 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装

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STB24N65M2 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：7.74
雪崩能效等级（Eas）：650 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.23 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB24N65M2 数据手册

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STB24N65M2, STF24N65M2,  
STP24N65M2  
N-channel 650 V, 0.185 Ω typ., 16 A MDmesh M2  
Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages  
Datasheet - production data  
Features  
Order codes  
STB24N65M2  
STF24N65M2  
STP24N65M2  
VDS  
RDS(on) max  
ID  
650 V  
0.23 Ω  
16 A  
Extremely low gate charge  
Excellent output capacitance (Coss) profile  
100% avalanche tested  
Zener-protected  
Figure 1: Internal schematic diagram  
Applications  
Switching applications  
Description  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using MDmesh™ M2 technology.  
Thanks to their strip layout and improved vertical  
structure, the devices exhibit low on-resistance  
and optimized switching characteristics,  
rendering them suitable for the most demanding  
high efficiency converters.  
Table 1: Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
Tape and  
reel  
STB24N65M2  
D2PAK  
24N65M2  
STF24N65M2  
STP24N65M2  
TO-220FP  
TO-220  
Tube  
November 2014  
DocID026475 Rev 2  
1/20  
www.st.com  
This is information on a product in full production.  
1234567...20

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STB24N65M2 替代型号

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