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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 51K |  |
| 描述 | ||
| N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 雪崩能效等级（Eas）： | 220 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 104 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB24NF10_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.0055OHM - 26A - TO-220 - D2PAK Low gate charge STripFET TM II Power MOS |
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| STB24NF10T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263AB |
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| STB24NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO |
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| STB24-O-0 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-O-1 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-O-2 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-O-3 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-O-4 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-O-5 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB24-O-6 | TE |
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STD and STB Markers |
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