STB21N65M5

更新时间： 2024-11-03 12:02:51

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
22页	1439K
描述
N-channel 650 V, 0.150 Î©, 17 A MDmeshâ¢ V Power MOSFET DÂ²PAK, TO-220FP, TO-220, IÂ²PAK, TO-247

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STB21N65M5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	1.69	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A
最大漏极电流 (ID)：	17 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STB21N65M5 数据手册

STB21N65M5, STF21N65M5

STI21N65M5, STP21N65M5, STW21N65M5

N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh™ V Power MOSFET

D²PAK, TO-220FP, TO-220, I²PAK, TO-247

Features

V_DSS

T_Jmax

R_DS(on)

max

Order codes

I_D

P_W

STB21N65M5

STF21N65M5

STI21N65M5

STP21N65M5

STW21N65M5

17 A 125 W

17 A⁽¹⁾30 W

TO-220

I²PAK

710 V < 0.179 Ω

17 A 125 W

1. Limited only by maximum temperature allowed

D²PAK

TO-247

TO-220FP

■ Worldwide best R

* area

DS(on)

■ Higher V

rating

DSS

■ High dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ 100% avalanche tested

Figure 1.

Internal schematic diagram

$ꢅꢆꢇ

Application

Switching applications

'ꢅꢁꢇ

Description

These devices are N-channel MDmesh™ V

Power MOSFETs based on an innovative

proprietary vertical process technology, which is

combined with STMicroelectronics’ well-known

PowerMESH™ horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low on-

3ꢅꢈꢇ

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

resistance, which is unmatched among silicon-

based Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB21N65M5

STF21N65M5

STI21N65M5

STP21N65M5

STW21N65M5

D²PAK

TO-220FP

I²PAK

Tape and reel

Tube

21N65M5

Tube

TO-220

TO-247

Tube

May 2011

Doc ID 15427 Rev 4

1/22

www.st.com

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB21N65M5TRL	STMICROELECTRONICS	获取价格	17A, 650V, 0.19ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-
STB21-N-7	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB21-N-8	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB21-N-9	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB21N90K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 900 V, 0.25 Î© typ., 18.5 A Zener-p
STB21NM50N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB21NM50N-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB21NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-2
STB21NM60N-	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-2
STB21NM60N-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFE

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